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内存研究的趋势是开ζ　发一种新的存储器，称为非』易失性RAM，它结合了RAM的快速读取与大容量○存储器的海量内存︽的特点。

有很多新储存单元方案，例如，FeRAM(铁电储存器)，ReRAM(电阻储存器)，MRAM(磁阻储存器)，STT-MRAM (自旋转矩磁╲阻储存器)，PCM(相变存储器)。

这些类型的储存器是以使用不同的物理◆原理改变材料传导性为基础。例如，在电介质材料层中一根细线的形成或破坏，材料结构由非晶转变为多晶或与磁场一直。

在本应用案例中，我们介绍如何使用脉冲发生器测试STT-MRAM储存单元。